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具有高密度缺陷位點的銀納米線的合成
發布時間:2019-12-09 14:07:43發布者:Admin新聞種類:前沿動態

結構缺陷位點會使納米材料具備很多超常的性能,這對于很多技術和基礎研究而言都是很大的挑戰。尤其是在催化領域,結構缺陷能夠顯著地增強金屬納米晶體的催化活性。 近來,西安交通大學的金明尚和加州大學Yadong Yin等人提出了一種高效合成具有高密度缺陷位點納米材料的方法,即使用具有一維孔道結構的分子篩SBA-15做為模板劑吸收銀離子,然后再將銀離子還原成銀,而說的到的銀納米線表面便具有高密的的缺陷位點。利用此種銀納米線做為催化劑催化硅烷轉化,測試得到的轉化頻率是目前所有銀催化劑中最高的。此項工作為合成具備高缺陷密度的金屬催化劑提供了新方法。

通過實驗驗證,不僅證明了催化劑中缺陷位點在催化過程中的重要作用,而且提供了一種合成高缺陷密度的金屬催化劑的方法。同樣,該方法也可以擴展到其他金屬和雙金屬催化劑的合成中,因此可以看出其在催化方面的巨大潛力和應用前景。

圖1 含有高密度缺陷位點的銀納米線的合成

圖2 銀納米線的TEM和HRTEM圖像

圖3 銀納米線結構與催化活性之間的關系

圖4 缺陷活性位選擇性吸附二甲基苯基硅烷及其紅外表征

來源:Chaoqi Wang? Zhaorui Zhang? Guang Yang? Qiang Chen*? Yadong Yin§ Mingshang Jin*?. Creation of Controllable High-Density Defects in Silver Nanowires for Enhanced Catalytic Property, nano letters, 2016, 16: 5669

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